第1089章 其实就是CoWoS封装 (第1/2页)

办公室里没人说话。
　　
　　甘良才是全场唯一一个完全外行的人，但他有一种特殊能力，通过观察其他人的反应来判断事情的重要性。
　　
　　陆远江画完那张图以后把笔放下了，没再说话。
　　
　　夏春秋站在原地没动，脸上的表情从兴奋变成了一种说不清楚的东西。
　　
　　甘良才虽然不懂技术，但他看得出来，无冬大师从进门的“陈总你夸我两句就行了”到现在的沉默，中间发生了质变。
　　
　　一个化学家发现自己的工艺路线能决定未来算力的底层基础设施，这种冲击需要时间消化。
　　
　　陈星没有催他。
　　
　　红星在2013年做这些布局，本身就不是为了明天出成果。
　　
　　TSV也好，先进封装也好，通用计算也好，这些方向在现在这个时间节点上，全球产业界都还处于论文和实验室阶段。
　　
　　英特尔在研发。
　　
　　三星在研发。
　　
　　TSMC也在研发。
　　
　　但谁都没有拿出量产级别的完整方案。
　　
　　甚至连理论概述都不一定有。
　　
　　为什么？
　　
　　卡在两个地方。
　　
　　第一个，刻蚀工艺，怎么在硅片上打出又深又直又干净的孔，化学和物理的双重难题。
　　
　　第二个，填充工艺。孔打出来以后怎么往里面灌金属导体，让它变成真正的电气通路，而且不能有空洞、不能有应力缺陷。
　　
　　夏春秋解决的是第一个。
　　
　　而第一个，恰恰是更难的那个。
　　
　　填充工艺说到底是电镀，是成熟技术的改良版。
　　
　　铜离子在电场作用下附着到孔洞内壁，逐层沉积，由外而内填满整个通孔。
　　
　　TSMC和三星已经有了可用的方案，虽然还在优化，但基本原理和工程路径是清楚的。
　　
　　至于怎么让铜离子均匀附着在这种高深宽比的孔洞里而不产生空洞？
　　
　　面前这位玩化学的，肯定知道。
　　
　　那是他的老本行。
　　
　　但刻蚀工艺不一样，高深宽比的深硅刻蚀，化学配方和工艺参数是真正的核心壁垒，是那种烧了几十亿美元研发经费不一定烧得出来的东西。
　　
　　陈星太清楚TSV在未来意味着什么了。
　　
　　2.5D封装。
　　
　　3D堆叠封装。
　　
　　高带宽内存，COWOS先进封装。
　　
　　这些名词在2013年还没有成为行业热词。
　　
　　但在他离开的那个2026年，这些技术已经是全球算力竞赛的基础设施。
　　
　　英伟达的H100为什么那么贵？
　　
　　不只是GPU核心本身值钱。
　　
　　而是那颗芯片周围叠了六块HBM3高带宽内存。
　　
　　用的就是TSV工艺。
　　
　　没有TSV，内存带宽上不去。
　　
　　内存带宽上不去，AI大模型跑不动。
　　
　　TSMC的COWOS封装产能为什么成为全球芯片产业的瓶颈？因为TSV和相关的先进封装工艺产能跟不上，逼得英伟达、AMD、谷歌排队等产能。
　　
　　排队时间动辄半年起步，有钱都买不到。
　　
　　那个时代，谁掌握了先进封装的产能，谁就掌握了算力的咽喉。
　　
　　

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